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恭喜西安電子科技大學賈仁需老師一件發明專利完成成果轉化

發表時間:2023年07月26日 來源:龍圖騰

龍圖騰網恭喜西安電子科技大學申請的專利SiC襯底同質網狀生長Web Growth外延方法成功實施成果轉化。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2014-01-01發布的專利公告中獲悉:該專利的專利申請號/專利號為:2013104049154,技術領域屬于H01L21/20(2006.01)I;該專利SiC襯底同質網狀生長Web Growth外延方法是由西安電子科技大學設計研發完成,并于2013-09-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本發明涉及一種SiC襯底同質Web?Growth外延方法,方法包括:選取正軸4H或6H的原始SiC襯底;將原始SiC襯底進行顯影處理和干刻蝕工藝處理,處理為加工SiC襯底;利用外延爐對加工SiC襯底進行原位刻蝕;對加工SiC襯底進行同質外延處理;加工SiC襯底在刻蝕圖形內角處進行懸臂生長生成SiC外延片,生長出的懸臂為無缺陷的碳硅雙原子層結構;生長出的懸臂愈合形成一層碳硅雙原子層薄膜覆蓋刻蝕臺面區域;從外延爐中取出生長好的SiC外延片。本發明SiC襯底同質Web?Growth外延方法實現了在正軸碳化硅襯底最頂端的刻蝕臺面上外延薄的一層完全無缺陷的懸臂,并且有效縮短外延時間并提高薄膜生長面積。

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